我們知道每種電容都有它的頻率特性，那么AVX鉭電容的頻率特性是怎么樣的呢？AVX鉭電容隨著頻率的增加有效電容的值會減小，直到共振達到（通常是0.5-5MHZ之間）。

下面以AVX貼片鉭電容E型的220UF 10V規格為例，深圳市宗盛源科技有限公司來為大家說明鉭電容的頻率特性AVX鉭電容溫度特性曲線。

AVX鉭電容的溫度特征

鉭電容器的電容隨溫度變化而發生變化。這種變化本身就是一個小的程度上依賴額定電壓和電容的大小。從下面的溫度曲線圖上可以看出在工作溫度范圍內，鉭電容和鈮電容的容量會隨著溫度的上升而上升。

損耗角正切（TAN）

這是一個在電容器的能量損耗的測量。它表示為棕褐色，是電容器的功率損耗其無功功率分為一組指定的正弦電壓頻率。它用的術語是功率因數、損耗因子和介電損耗。COS（90-）是真正的功率因素。使用測量進行測量譚橋梁提供一個0.5V RMS120HZ的正弦信號。

耗散與溫度的關系

耗散系數隨溫度變化的典型曲線表演。這些地塊是鉭和OXICAP相同電容器。

耗散因數測量的切線損耗角（TAN），以百分比表示。測量DF是開展測量橋梁供應一個0.5V RMS120HZ的正弦信號，諧波與2.2VDC.DF值是溫度和頻率依賴性。

耗散因素的頻率依賴性

隨著頻率的增加損耗因素所示鉭和OXICAP電容器的典型曲線相同，這是電流電壓的比值，在指定的頻率。三個因素促成了鉭電容器的阻抗，半導體層的電阻電容、電極和引線電感，在高頻率導致的電感成為一個限制因素。溫度和頻率的行為確定這三個因素的阻抗行為，阻抗Z阻抗是在25度和100KHZ。

AVX鉭電容的等效串聯電阻ESR

阻力損失發生在一切可行的形式電容器。這些都是由幾種不同的機制，包括電阻元件和觸點、粘性勢力內介質和生產旁路的缺陷電流路徑。為了表達對他們的這些損失的影響視為電容的ESR.ESR的頻率依賴性和可利用的關系。

AVX鉭電容的阻抗和ESR的頻率依賴性

ESR和阻抗都隨頻率增加，在較低頻率值作為額外的貢獻分歧阻抗變得更加重要。

AVX鉭電容能承受的電壓和電流浪涌能力是有限的，這是基于所有電解電容的共同屬性，一個值夠高的電應力會穿過電介質，從而破壞了介質。例如一個6伏的鉭電容在額定電壓運行時，有一個167千伏/毫米電壓的電場。因此一定要確保整個電容器終端的電壓決不會超過規定的浪涌電壓評級。作為鉭電容負極板層使用的半導體，二氧化錳有自愈能力。然而，這種低阻是有限的，在低阻抗電路的情況下，電容器可能被浪涌電流擊穿。降壓的電容增加了元件的可靠性。額定電壓使用上常見的電壓軌跡、低阻抗鉭電容在電路進行快速充電或放電時，保護電阻建議為1Ω/V，如果達不到此要求應使用鉭電容器降壓系數高達70%，在這種情況下，可能需要更高的電壓比作為一個單一的電容。A系列組合應被告用來增加工作電壓的等效電容器。

例如，兩個22UF25V系列部分相當于一個11UF50V的一部分。是指電容在很短的時間經過最小的串聯電阻的電路330HMS（CECC國家1KΩ）能承受的最高電壓。浪涌電壓常溫下一個小時時間內可達到高達10倍額度電壓并高達30秒的時間。浪涌電壓只作為參考參數，不能用作電路設計的依據，在正常運行過程中，電容應定期充電和放電。不同溫度下浪涌電壓的值是不一樣的，在85度及以下溫度時，分類電壓VC等于額定電壓VR，浪涌電壓VS等于額定電壓VR的1.3倍；在85-125度時，分類電壓VC等于額定電壓VR的0.66倍，浪涌電壓VS等于分類電壓VC的1.3倍。

鉭電容的反向電壓

AVX鉭電容的反向電壓是有嚴格的限制的，具體如下：

在1.0V 25度條件下最大為10%的額定直流工作電壓

在0.5V 85度條件下最大為3%的額定直流工作電壓

在0.1V 125度條件下最大為1%的額定直流工作電壓

反向電壓值均以鉭電容在任何時間上的最高電壓值為準，這些限制是假設鉭電容器偏振光在其大多數的正確方向工作壽命。他們的目的是涵蓋短期逆轉如發生在開關瞬態極性期間的一個印象深刻的波形的一小部分。連續施加反向電壓會導致兩極分化，將導致漏電流增大。在何種情況下連續反向應用電壓可能會出現兩個類似的電容應采用與負端接回配置連接在一起。在大多數情況下這種組合將有一個標稱電容。

鉭電容的疊加交流電壓（Vr.m.s.）——又稱紋波電壓

這是最大的r.m.s.交流電壓，疊加一個特區電壓，可應用到一個電容。

信息來源：鉭電容