AVX鉭電容的等效串聯(lián)電阻ESR.

      阻力損失發(fā)生在一切可行的形式電容器。這些都是由幾種不同的機制，包括電阻元件和觸點，AVX貼片鉭電容粘性勢力內(nèi)介質和生產(chǎn)旁路的缺陷電流路徑。為了表達對他們的這些損失的影響視為電容的ESR。ESR的頻率依賴性和可利用的關系；ESR=譚ǒ2nfC其中F是赫茲的頻率，C是電容法拉。ESR是在25°C和100KHz的測量。ESR是阻抗的因素之一，在高頻率（100KHz和以上）就變成了主導因素。從而ESR和阻抗幾乎成了相同，阻抗僅小幅走高。

 

      AVX鉭電容的阻抗（Z）

      這是電流電壓的比值，在指定的頻率。三個因素促成了鉭電容器的阻抗；半導體層的電阻電容價值和電極和引線電感。在高頻率導致的電感成為一個限制因素。溫度和頻率的行為確定這三個因素的阻抗行為阻抗Z。阻抗是在25°C和100KHz。

 

      AVX鉭電容的阻抗議和ESR的頻率依賴性

      ESR和阻抗都隨頻率的增加。在較低頻率值作為額外的貢獻分歧阻抗（由于電容器的電抗）變得更加重要。除了1MHz的（和超越電容的諧振點）阻抗再次增加由于電感；電容的。典型ESR和阻抗值是類似的鉭，鈮氧化物材料，從而在相同的圖表都有效鉭電容和OxiCap®電容器。

 

      AVX代理談鉭電容的阻抗與溫度和關系

      和ESR。在100KHz，阻抗和ESR的行為相同，隨著溫度的升高下逄的典型曲線。